Hybrid Integration of 3D-RF Interconnects on AlGaN/GaN/Si HEMT RF Transistor featuring 2.2W/mm Psat & 41% PAE @28GHz using a Robust and Cost-Effective Chiplet Heterogeneous Bonding Technique
Author:
Affiliation:
1. CEA-Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10631290/10631310/10631451.pdf?arnumber=10631451
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