An Integrated 28 GHz Front-End Module for 5G Applications in 45 nm PD-SOI
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9152071/9160349/09160392.pdf?arnumber=9160392
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1. RC-Effects on the Oxide of SOI MOSFET under Off-State TDDB Degradation: RF Characterization and Modeling;Micromachines;2024-02-07
2. A 28-nm CMOS Sub-Volt PA With High Power Density and Common-Mode Stability Design;IEEE Microwave and Wireless Technology Letters;2023-07
3. Design and measurements of a 28 GHz High-Linearity LNA in 45nm SOI-CMOS;2021 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS);2021-11-01
4. A 32–40 GHz 4-Channel transceiver with 6-bit amplitude and phase control;AEU - International Journal of Electronics and Communications;2021-09
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