Design and development of C-Ku wideband MMIC power amplifier using 250nm GaN HEMT process
Author:
Affiliation:
1. Solid State Physics Lab. (SSPL),Delhi,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10463756/10463710/10464042.pdf?arnumber=10464042
Reference14 articles.
1. A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs
2. Reactively matched 3-stage C-X-Ku band GaN MMIC power amplifier
3. A 6–18 GHz GaN Power Amplifier MMIC with High Gain and High Output Power Density;Sutbas
4. 4-18 GHz AIGaN/GaN Based Distributed Power Amplifier MMIC
5. A 2-20 GHz Distributed GaN Power Amplifier Using a Novel Biasing Technique
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