A 100W 2.15 GHz RF Power Amplifier Device with Novel Matching Network
Author:
Affiliation:
1. NXP Semiconductors,Radio Power,USA
Funder
NXP Semiconductors
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10187888/10187785/10188127.pdf?arnumber=10188127
Reference8 articles.
1. A Compact 60 W MMIC Amplifier based on a Novel 3-way 1:2:1 Doherty Architecture with Best-in-class Efficiency for Small Cells;2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS),2017
2. Compact High-Efficiency High-Power Wideband GaN Amplifier Supporting 395 MHz Instantaneous Bandwidth
3. A Wideband Multi-Stage Amplifier with Low Group-Delay Variation Using Transistors with Low Nodal Quality Factors in Sub-Terahertz Band
4. 500 W Three-way GaN Doherty Power Amplifier for Sub-6 GHz 5G New Radio Base Transceiver Systems
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