Temperature dependence characteristics and noise characteristics of InGaAs/InAlAs X-ray APDs
Author:
Affiliation:
1. Wuhan National Laboratory for Optoelectronics Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,Hubei,China,430074
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10368381/10368607/10369320.pdf?arnumber=10369320
Reference17 articles.
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