Design of 3 mm Frequency Band SiGe BiCMOS Power Amplifier
Author:
Affiliation:
1. Key Laboratory of Aperture Array and Space Application,Hefei,China
2. Hefei University of Technology,School of Electrical Engineering and Automation,Hefei,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9899858/9899859/09900000.pdf?arnumber=9900000
Reference8 articles.
1. A BiCMOS W-Band 2×2 Focal-Plane Array With On-Chip Antenna
2. A 3 mm frequency band Power Amplifier with 15-dBm Psat and 14% PAE in 0.13-?m SiGe HBT Technology;chen;2021 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS),2021
3. Design of W-Band SiGe BiCMOS Low Noise Amplifier
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