A 5.2-GHz full-integrated RF front-end by T/R switch, LNA, and PA co-design with 3.2-dB NF and +25.9-dBm output power

Author:

Chen Huan-Sheng,Tsai Hung-Yu,Chuo Li-Xuan,Tsai Yu-Kai,Lu Liang-Hung

Publisher

IEEE

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1. High Isolation CMOS TDD RF Front-End using Sandwich-Type Concentric Vortical Transformer and Leakage Elimination Technique;2024 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2024;2024-06-16

2. A 5.2-GHz Area-Efficient RF Front-End with 2.79x PAE Enhancement at 7.7-dB Power Back-Off;2024 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2024;2024-06-16

3. A 4.9–7.1-GHz High-Efficiency Post-Matching GaN Front-End Module for Wi-Fi 7 Application;IEEE Journal of Solid-State Circuits;2024-02

4. A 5–6 GHz CMOS RF Front-End Module for FTTR Application;2023 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS);2023-05-14

5. Multi-objective Low-Noise Amplifier Optimization Using Analytical Model and Genetic Computation;Circuits, Systems, and Signal Processing;2017-08-30

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