SiGe Circuits for Future LEO Constellations
Author:
Affiliation:
1. Univ. Lille, Univ. Polytechnique Hauts-de France,CNRS, Centrale Lille, UMR 8520, IEMN,Lille,France,F-59000
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9823395/9825496/09825590.pdf?arnumber=9825590
Reference16 articles.
1. A Wideband E/W-Band Low-Noise Amplifier MMIC in a 70-nm Gate-Length GaN HEMT Technology
2. An 18–56-GHz Wideband GaN Low-Noise Amplifier With 2.2–4.4-dB Noise Figure
3. A 40-GHz Bandwidth Tapered Distributed LNA
4. 60 GHz Resonant Photoreceiver With an Integrated SiGe HBT Amplifier for Low Cost Analog Radio-Over-Fiber Links
5. A 50–67-GHz Ultralow-Power LNA Using Double-Transformer-Coupling Technique and Self-Resonant Matching in 90-nm CMOS
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