Time-resolved photoluminescence of MBE-grown 1 eV GaAsSbN for multi-junction solar cells
Author:
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7337615/7355590/07356069.pdf?arnumber=7356069
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1. Gallium nanoparticles as antireflection structures on III-V solar cells;Solar Energy Materials and Solar Cells;2024-01
2. Doping effects on the composition, electric and optical properties of MBE-grown 1.1 eV GaNAsSb layers;Semiconductor Science and Technology;2020-10-06
3. Molecular beam epitaxial growth of GaAsSb/GaAsSbN/GaAlAs core-multishell nanowires for near-infrared applications;Nanotechnology;2019-04-16
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