Frequency dependence of TDDB & PBTI with OTF monitoring methodology in high-k/metal gate stacks-Reference-Cited by-同舟云学术

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Frequency dependence of TDDB & PBTI with OTF monitoring methodology in high-k/metal gate stacks

Published:2014-06 Issue: Volume: Page:
ISSN:
Container-title:2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
language:
Short-container-title:

Author:

Bezza A.,Rafik M.,Roy D.,Federspiel X.,Mora P.,Ghibaudo G.

Publisher

IEEE

Link

http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6850132/6860565/06861149.pdf?arnumber=6861149

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. GHz AC to DC TDDB Modeling with Defect Accumulation Efficiency Model;2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS);2023-03

2. Frequency dependant gate oxide TDDB model;2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS);2022-03

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