2D Channel Defect States Properties Extraction Using DLTFS in AlGaN/GaN HEMTs
Author:
Affiliation:
1. Normandie Univ,UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC,Caen,France,14000
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10472738/10472739/10472754.pdf?arnumber=10472754
Reference23 articles.
1. Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode
2. High Performance Vertical GaN-on-GaN p-n Power Diodes With Hydrogen-Plasma-Based Edge Termination
3. AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on semi-insulating HVPE GaN templates
4. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs
5. RF performance of HVPE-grown AlGaN/GaN HEMTs
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