New Method for BEOL Overlay and Process Margin Characterization
Author:
Affiliation:
1. Huali Integrated Circuit Corporation,Shanghai,China
2. PDF Solutions, Inc,Santa Clara,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9797886/9797892/09798109.pdf?arnumber=9798109
Reference2 articles.
1. In-Line Monitoring of Overlay and Process Window using Design-Assisted Voltage Contrast Inspection for 14nm FINFET Technology;li;SPIE Advanced Lithography,2022
2. 10nm 2nd generation BEOL technology with Optimized Illumination and LELE LELE;yeong;Tech Dig VLSI Symp,2017
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Application of e-Beam Voltage Contrast Technique for Overlay Improvement and Process Window Control in Multi-Patterning Interconnect Scheme;IEEE Journal of the Electron Devices Society;2022
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