NexFET generation 2, new way to power-Reference-Cited by-同舟云学术

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NexFET generation 2, new way to power

Published:2011-12 Issue: Volume: Page:
ISSN:
Container-title:2011 International Electron Devices Meeting
language:
Short-container-title:

Author:

Boyi Yang ,Shuming Xu ,Korec Jacek,Jun Wang ,Lopez Ozzie,Jauregui David,Kocon Christopher,Herbsommer Juan,Molloy Simon,Daum Gary,Haian Lin ,Pearce Charles,Noquil Jonathan,Shen John

Publisher

IEEE

Link

http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/6123666/6131464/06131615.pdf?arnumber=6131615

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. A novel MOSFET with lateral–vertical charge coupling for extremely low C _gd;Semiconductor Science and Technology;2024-04-18

2. Microsecond High Magnetic Field Shaped Pulse Generators Research;2014

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