Towards a CMOS-Process-Portable ReRAM PDK
Author:
Affiliation:
1. Imperial College London,Department of Electrical and Electronic Engineering,UK,SW7 2BT
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10198027/10198028/10198171.pdf?arnumber=10198171
Reference27 articles.
1. Vertically integrated ZnO-Based 1D1R structure for resistive switching
2. Sneak Path Characterization in Memristor Crossbar Circuits;joshi;International Journal of Electronics,2020
3. Constructing fast and energy efficient 1TnR based ReRAM crossbar memory
4. 19.7 A 16Gb ReRAM with 200MB/s write and 1GB/s read in 27nm technology
5. Cross-Point Memory Array Without Cell Selectors—Device Characteristics and Data Storage Pattern Dependencies
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