A Reliable 5G Stacked Power Amplifier in 45nm CMOS Technology
Author:
Affiliation:
1. Purdue University,Elmore Family School of Electrical and Computer Engineering,West Lafayette,United States
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10046198/10046211/10046289.pdf?arnumber=10046289
Reference6 articles.
1. A Stacked Transistors CMOS SOI Power Amplifier For 5G Applications
2. Novel mmWave NMOS Device for High Pout mmWave Power Amplifiers in 45RFSOI
3. A highly rugged 19 dBm 28GHz PA using novel PAFET device in 45RFSOI technology achieving peak efficiency above 48%
4. A 20.8-41.6-GHz Transformer-Based Wideband Power Amplifier with 20.4-dB Peak Gain Using 0.9-V 28-nm CMOS Process
5. High-Efficiency Microwave and mm-Wave Stacked Cell CMOS SOI Power Amplifiers
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