Study On the Mechamism of SIN Residue FOR ILD0CMP
Author:
Affiliation:
1. Shanghai Huali Integrated Circuit Corp.,,Advanced Module Technology Dept.,,Shanghai,China,201314
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10219185/10219154/10219284.pdf?arnumber=10219284
Reference4 articles.
1. Chemical mechanical polish: The enabling technology
2. Gate First or Gate Last: Technologist Debate High-k;lammers;Semiconductor International,2010
3. 45nm High-k + Metal Gate Strain-Enhanced Transistors;auth;Symp VLSI Dig,2008
4. Integrating High-k /Metal Gates: Gate-First or Gate-Last?;hoffman;Solid State Technology,2010
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