980 nm QW lasers with GaAsP barriers monolithically grown on (001) Si by MOCVD
Author:
Affiliation:
1. Hong Kong University of Science and Technology,Department of Electronic and Computer Engineering,Hong Kong,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10360489/10360472/10360558.pdf?arnumber=10360558
Reference5 articles.
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