In-Depth Analysis of NBTI at 2X nm Node DRAM-Reference-Cited by-同舟云学术

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In-Depth Analysis of NBTI at 2X nm Node DRAM

Published:2016-05 Issue: Volume: Page:
ISSN:
Container-title:2016 IEEE 8th International Memory Workshop (IMW)
language:
Short-container-title:

Author:

Han Seunguk,Lee Sungsam,Baek Sungkweon,Jang Sungho,Jeong Wonchang,Huh Kijae,Jeong Moonyoung,Lim Junhee,Yamada Satoru,Hong Hyeongsun,Lee Kyupil,Jin Gyoyoung,Jung Eunseung

Publisher

IEEE

Link

http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7492715/7493553/07495279.pdf?arnumber=7495279

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Effect of Off-State Stress on Data-Valid Window Margin for Advanced DRAM Using HK/MG Process Technology;2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS);2024-04-14

2. Improved electrical characteristics and reliability of p-MOSFET with fluorine implant;Solid-State Electronics;2020-05

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