Development of High Power 170 GHz Frequency Doubler Based on Thermal Optimization
Author:
Affiliation:
1. Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Microwave Remote Sensing, National Space Science Center,Beijing,China,100190
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10275796/10276388/10276522.pdf?arnumber=10276522
Reference8 articles.
1. Development of High Power 220 GHz Frequency Triplers Based on Schottky Diodes
2. High-Power 300 GHz Solid-State Source Chain Based on GaN Doublers
3. High-Power MM-Wave Frequency Multipliers
4. Capacity analysis for high-speed terahertz wireless communications
5. 120 GHz Frequency-Doubler Module Based on GaN Schottky Barrier Diode
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