Fabrication of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Post-growth Annealing
Author:
Affiliation:
1. Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences,China
2. SMiT,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10102927/10102928/10103090.pdf?arnumber=10103090
Reference3 articles.
1. Current collapse suppression in AlGaN/GaN high electron mobility transistor with groove structure
2. Improvement of Current Collapse by Surface Treatment and Passivation Layer in p-GaN Gate GaN High-Electron-Mobility Transistors
3. AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low ${V}_{\sf {{th}}}$ Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator
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