Impact of Area-to-Perimeter Ratio Layout Effect on TDDB in 45-nm PDSOI N-channel FETs
Author:
Affiliation:
1. Indian Institute of Technology Delhi,Department of Electrical Engineering,New Delhi,India
2. GlobalFoundries,Global Reliability Department,Malta,NY,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10511270/10511310/10512126.pdf?arnumber=10512126
Reference7 articles.
1. Experimental Study on Critical Parameters Degradation of Nano PDSOI MOSFET under TDDB Stress
2. Area dependence of TDDB characteristics for HfO2 gate dielectrics
3. Layout dependence of gate dielectric TDDB in HKMG FinFET technology
4. Time-Dependent Dielectric Breakdown in 45-nm PD-SOI N-Channel FETs at Cryogenic Temperatures for Quantum Computing Applications
5. Constant current charge-to-breakdown: Still a valid tool to study the reliability of MOS structures?
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