High-Voltage Silicon Carbide Thyristors on N-Doped Epi for Pulsed Power
Author:
Affiliation:
1. DEVCOM,Army Research Laboratory,Adelphi,MD,USA
2. Wolfspeed,Durham,NC,USA
3. Texas Tech University,Electrical & Computer Engineering,Lubbock,TX,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9733105/9733050/09733054.pdf?arnumber=9733054
Reference9 articles.
1. Solid-state Marx generator with 24 KV 4H-SIC IGBTs
2. Solid state switches for high frequency operation as thyratron replacements
3. Turn-on of High-Voltage SiC Thyristors for Fast-Switching Applications
4. 15 kV n-GTOs in 4H-SiC
5. The critical charge density of 4H-SiC thyristors
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Investigation of SiC Thyristors with Varying Amplifying Gate Design;Materials Science Forum;2022-05-31
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