Effects of High-k Dielectric Materials on Different Structures of 3D FinFET
Author:
Affiliation:
1. Shahjalal University of Science and Technology,Department of EEE,Sylhet,Bangladesh,3114
2. European University of Bangladesh,Department of EEE,Dhaka,Bangladesh,1216
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10464389/10464391/10464442.pdf?arnumber=10464442
Reference21 articles.
1. Low leakage nanoscaled Body on Insulator FinFET with underlap and high k dielectric
2. FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
3. Fundamentals of Modern VLSI Devices
4. Investigation on TG n-FinFET Parameters by Varying Channel Doping Concentration and Gate Length;Boukorttl;Springer Science+Business Media Dordrecht,2017
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