First-Principle Analysis of Elastic Constants of $\beta-(\text{Al}_{\mathrm{x}}\text{Ga}_{1-\mathrm{x}})_{2}\mathrm{O}_{3}$ for Heterogeneous Interface Applications
Author:
Affiliation:
1. Pohang University of Science and Technology (POSTECH),Department of Electrical Engineering,Pohang,Republic of Korea,37673
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10628446/10628545/10628780.pdf?arnumber=10628780
Reference13 articles.
1. Enhancement Mode β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 Heterostructure FET (HFET) With High Transconductance and Cutoff Frequency
2. Piezoelectric properties of substitutionally doped β-Ga2O3
3. First-principles elastic constants of α- and θ-Al2O3
4. MOCVD Epitaxy of Ultrawide Bandgap β-(AlxGa1–x)2O3 with High-Al Composition on (100) β-Ga2O3 Substrates
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