Method of Controlling Interface Oxide in Polysilicon Emitter PNP Bipolar Transistors
Author:
Affiliation:
1. Globalfoundries,Singapore
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10545359/10545360/10545484.pdf?arnumber=10545484
Reference4 articles.
1. Recombination behavior and contact resistance of n+ and p+ poly-crystalline Si/mono-crystalline Si junctions
2. A Simple Model Describing the Symmetric $I\hbox{--}V$ Characteristics of $\hbox{p}$ Polycrystalline Si/ $\hbox{n}$ Monocrystalline Si, and $\hbox{n}$ Polycrystalline Si/$\hbox{p}$ Monocrystalline Si Junctions
3. Experimental study of the minority-carrier transport at the polysilicon—monosilicon interface
4. A Simple Method to Control Bipolar Polysilicon Emitter Interfacial Oxide
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