Experimental 10 Gbit/s transmission systems and its IC technology
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IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx2/3147/8957/00394510.pdf?arnumber=394510
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1. An 80-Gb/s optoelectronic delayed flip-flop IC using resonant tunneling diodes and uni-traveling-carrier photodiode;IEEE Journal of Solid-State Circuits;2001
2. PRESENT STATUS AND FUTURE PROSPECTS OF HIGH-SPEED LIGHTWAVE ICS BASED ON INP;International Journal of High Speed Electronics and Systems;1998-06
3. A 40-Gbit/s superdynamic decision IC fabricated with 0.12-μm GaAs MESFET's;IEEE Journal of Solid-State Circuits;1998
4. 40-Gb/s ICs for future lightwave communications systems;IEEE Journal of Solid-State Circuits;1997
5. A super-dynamic flip-flop circuit for broad-band applications up to 24 Gb/s utilizing production-level 0.2-μm GaAs MESFETs;IEEE Journal of Solid-State Circuits;1997
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