A Radiation-Hardened by Design 15-22GHz LC-VCO Charge-Pump PLL Achieving -240dB FoM in 22nm FinFET
Author:
Affiliation:
1. Texas A&M University,Analog and Mixed-Signal Center,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10186107/10186112/10186191.pdf?arnumber=10186191
Reference8 articles.
1. Design of a High-Performance Low-Cost Radiation-Hardened Phase-Locked Loop for Space Application
2. Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity
3. A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology
4. Single-Event Effects Characterization of LC-VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. A Radiation-Hardened 15–22-GHz Frequency Synthesizer in 22-nm FinFET;IEEE Journal of Solid-State Circuits;2024-09
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