On the Design of GaN Low Noise Amplifier for 5G Applications
Author:
Affiliation:
1. University of Sharjah,Electrical Engineering Department,Sharjah,United Arab Emirates
Funder
University of Sharjah
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9989539/9990040/09990078.pdf?arnumber=9990078
Reference11 articles.
1. Mathematical Modelling of the LC-Ladder and Capacitive Shunt-Shunt Feedback LNA Topology
2. A Design Approach for SiGe Low-Noise Amplifiers Using Wideband Input Matching
3. GaN-Based Robust Low-Noise Amplifiers
4. A Broadband 70–110-GHz E-/W-Band LNA Using a 90-nm T-Gate GaN HEMT Technology
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Robustness of GaN on SiC low‐noise amplifiers in common source and cascode configurations for X‐band applications;International Journal of Circuit Theory and Applications;2024-01-27
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