A 7W, 2.5-5GHz Wideband GaN PA with Transformer-Based Matching Network
Author:
Affiliation:
1. Fudan University,State Key Laboratory of Integrated Chips and Systems,Shanghai,China,201203
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10395907/10395930/10396437.pdf?arnumber=10396437
Reference7 articles.
1. On the Design of Wideband Transformer-Based Fourth Order Matching Networks for ${E}$ -Band Receivers in 28-nm CMOS
2. A 40 GHz to 67 GHz bandwidth 23 dB gain 5.8 dB maximum NF mm-wave LNA in 28 nm CMOS;Hadipour
3. A Full Ka-Band Power Amplifier With 32.9% PAE and 15.3-dBm Power in 65-nm CMOS
4. A 4.5-W, 18.5–24.5-GHz GaN Power Amplifier Employing Chebyshev Matching Technique
5. A CMOS Broadband Power Amplifier With a Transformer-Based High-Order Output Matching Network
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