Analysis of the THz Responsivity of AlGaN/GaN HEMTs by Means of Monte Carlo Simulations
Author:
Affiliation:
1. Applied Physics Department, USA, L-NANOLAB, Universidad de Salamanca, Salamanca, Spain
2. Center de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (CROMA), Universite Grenoble Alpes, Saint-Martin-d’Heres, France
Funder
MCIN/AEI/10
Junta de Castilla y León and FEDER through Project
European Regional Development Fund
Publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/16/10609410/10568550.pdf?arnumber=10568550
Reference34 articles.
1. The 2017 terahertz science and technology roadmap
2. THz detectors
3. Sensitivity of Field-Effect Transistor-Based Terahertz Detectors
4. An Accurate Empirical Model Based on Volterra Series for FET Power Detectors
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