The Study of the Main Junction of the VDMOS Termination
Author:
Affiliation:
1. Chengdu Technological University,School of Electronic Engineering,Chengdu,People’s Republic of China
2. Southwest Jiaotong University,Institute of Microelectronics, School of Information Science and Technology,Chengdu,People’s Republic of China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10616250/10617814/10617856.pdf?arnumber=10617856
Reference18 articles.
1. Fundamentals of Power Semiconductor Devices
2. Energy efficiency enabled by power electronics
3. Semiconductor power devices with alternating conductivity;Chen,1993
4. COOLMOS/sup TM/-a new milestone in high voltage power MOS
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