Automated early damage detection for power MOSFETs using on-board thermal spectroscopy
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer Institute for Integrated Circuits IIS,Division Engineering of Adaptive Systems EAS,Dresden,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10177286/10177494/10177637.pdf?arnumber=10177637
Reference13 articles.
1. Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction-to-Case of Semiconductor Devices with Heat Flow Through a Single Path;JEDEC Solid state Technology Association,2010
2. Failure Mechanism Detection Algorithm with MOSFET Body Diode
3. Power Electronic Packaging
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