Comprehensive Analysis of Gate Oxide Short in Junctionless Fin Field Effect Transistor
Author:
Affiliation:
1. School of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia,Johor Bahru,Malaysia,81310
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9862946/9862950/09863184.pdf?arnumber=9863184
Reference10 articles.
1. Characteristics of n-Type Junctionless Poly-Si Thin-Film Transistors With an Ultrathin Channel
2. Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
3. Device and Circuit Performance Estimation of Junctionless Bulk FinFETs
4. Characteristic of p-Type Junctionless Gate-All-Around Nanowire Transistor and Sensitivity Analysis
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