SmartSiC™ for Manufacturing of SiC Power Devices

Author:

Daval N.1,Drouin A.1,Biard H.1,Viravaux L.1,Radisson D.1,Rouchier S.1,Gaudin G.1,Widiez J.2,Allibert F.1,Rolland E.2,Vladimirova K.2,Gelineau G.2,Troutot N.2,Navone C.2,Berre G.3,Bosch D.3,Leow Y.L3,Duboust A.3,Bethoux J-M.1,Boulet R.1,Chapelle A.1,Cela E.1,Lavaitte G.1,Bouville-Lallart A.1,Bhargava S.3,Schwarzenbach W.1,Maddalon C.1,Radu I.1,Odoul S.1,Delprat D.1,Bonnin O.1,Maleville C.1

Affiliation:

1. Soitec SA,France

2. CEA Leti,France

3. AMAT,France

Publisher

IEEE

Reference4 articles.

1. Modeling of Anisotropic Etching of Thin Monocrystalline Layers;radisson;Comsol Day,2021

2. Smart Cut SiC Substrates for Manufacturing of High Quality Power Devices;schwarzenbach;EDTM,2021

3. 150 mm SiC engineered substrates for high-voltage power devices;rouchier,2021

4. Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices

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