Broadband Low-Noise Ka-Band Front-End MMIC in a 0.15-µm GaN-on-SiC HEMT Technology
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10600173/10600174/10600384.pdf?arnumber=10600384
Reference12 articles.
1. 10W power amplifier and 3W transmit/receive module with 3 dB NF in Ka band using a 100nm GaN/Si process
2. 32–36-GHz Single-Chip Front-End MMIC Featuring 35-dBm Output Power and 3.2-dB Noise Figure With 60-and 100-nm GaN/Si HEMTs
3. GaN/Si 37–40 GHz T/R Chip MMIC for 5G Communications
4. 39GHz GaN front end MMIC for 5G applications
5. E-Band Ultra-Low-Noise (4.5 dB) and High-Power (27 dBm) GaN $\mathrm{T}/\mathrm{R}$ Front-End MMIC;Ture,2022
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