A Broadband 22nm FDSOI D-Band Power Amplifier with Dynamic Back Gate Bias Gain-Linearization Achieving 9.6% PAE at 8.7 dBm OPldB and 3.7% at 6 dB Back-off
Author:
Affiliation:
1. Institute for Electronics Engineering,Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10600173/10600174/10600283.pdf?arnumber=10600283
Reference10 articles.
1. A Dual-Channel 15 Gb/s PRBS Generator for a D-Band PMCW Radar Transmitter in 22nm FDSOI;Probst;IEEE WAMICON,2023
2. A 22nm FDSOI Technology Optimized for RF/mmWave Applications
3. Design of two Low DC-Power High-Efficiency D-Band Power Amplifiers in 22 nm FDSOI
4. A 3-Stacked 10.2 dBm OPldB D-Band Power Amplifier in 22 nm FDSOI for 6G Communication;Huang;APMC,2023
5. Design and Analysis of a 140-GHz T/R Front-End Module in 22-nm FD-SOI CMOS
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