Spin Qubits in Silicon FinFET Devices

Author:

Fuhrer A.1,Aldeghi M.1,Berger T.2,Camenzind L. C.2,Eggli R. S.2,Geyer S.2,Harvey-Collard P.1,Hendrickx N. W.1,Kelly E.G.1,Massai L.1,Mergenthaler M.1,Muller P.1,Kuhlmann A. V.1,Patlatiuk T.2,Paredes S.1,Schupp F. J.1,Salis G.1,Sommer L.1,Tsoukalas K.1,Trivino N. Vico1,Warburton R. J.2,Zumbuhl D. M.2

Affiliation:

1. IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4,Rüschlikon,Switzerland,CH-8803

2. University of Basel,Klingelbergstrasse 82,Department of Physics,Basel,Switzerland,CH-4056

Funder

National Science Foundation

Publisher

IEEE

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1. Noise properties in the Coulomb blockade region of FinFETs;Japanese Journal of Applied Physics;2024-03-01

2. Transport characterization of CMOS-based devices fabricated with isotopically-enriched 28Si for spin qubit applications;ESSDERC 2023 - IEEE 53rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC);2023-09-11

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