Ray-Spect: Local Parametric Degradation for Secure Designs: An application to X-Ray Fault Injection
Author:
Affiliation:
1. Univ Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP,TIMA,Grenoble,France,38000
2. CEA-Leti,Grenoble,France,38054
3. University of Toulouse,ONERA DPHY,Toulouse,France,31055
Funder
French National Research Agency
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10224820/10224858/10224894.pdf?arnumber=10224894
Reference19 articles.
1. Radiation-Induced Short Channel (RISCE) and Narrow Channel (RINCE) Effects in 65 and 130 nm MOSFETs
2. Total ionizing dose effects in MOS oxides and devices
3. Modeling Inter-Device Leakage in 90 nm Bulk CMOS Devices
4. Radiation-induced edge effects in deep submicron CMOS transistors
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