Fully Integrated SiGe HBT BiCMOS Transmit-Receive Front-End IC for 5G mmW Radio with A Reconfigurable Built-In Diode RF Switch
Author:
Affiliation:
1. Ajou University,Ajou High Frequency Integrated Electronics,Republic of Korea
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10599936/10599927/10600052.pdf?arnumber=10600052
Reference11 articles.
1. NR: The New 5G Radio Access Technology
2. Achieving Ultra-Low Latency in 5G Millimeter Wave Cellular Networks
3. A novel ultrathin elevated channel low-temperature poly-Si TFT
4. A Wideband 28-GHz Transmit–Receive Front-End for 5G Handset Phased Arrays in 40-nm CMOS
5. A 24–29.5-GHz Highly Linear Phased-Array Transceiver Front-End in 65-nm CMOS Supporting 800-MHz 64-QAM and 400-MHz 256-QAM for 5G New Radio
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