Single-Voltage-Supply pHEMT/mHEMT 2.4 and 5.8 GHz LNAs Using Power Constrained Design
Author:
Affiliation:
1. National Yang Ming Chiao Tung University,Department of Electronics and Electrical Engineering,Hsinchu,Taiwan
2. Taiwan Semiconductor Research Institute,National Applied Research Laboratories,Hsinchu,Taiwan
Funder
National Science and Technology Council
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10438445/10438446/10438641.pdf?arnumber=10438641
Reference10 articles.
1. High-purity 60-GHz-band single-chip /spl times/8 multipliers in pHEMT and mHEMT technology
2. Q-Band pHEMT and mHEMT Subharmonic Gilbert Upconversion Mixers
3. A 1.5-V, 1.5-GHz CMOS low noise amplifier
4. CMOS Low-Noise Amplifier Design Optimization Techniques
5. Design Optimization of Single-/Dual-Band FET LNAs Using Noise Transformation Matrix
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