Ultra Low Power Event-Driven Sensor Interfaces
Author:
Affiliation:
1. Eindhoven University of Technology,Integrated Circuits Group,Eindhoven,The Netherlands
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10164122/10164290/10164620.pdf?arnumber=10164620
Reference13 articles.
1. A 2.98pJ/conversion 0.0023mm2 Dynamic Temperature Sensor with Fully On-Chip Corrections
2. A 2.74pJ/conversion 0.0018mm2 Temperature Sensor with On-chip Gain and Offset Correction
3. A 2.18-pJ/conversion, 1656-μm² Temperature Sensor With a 0.61-pJ·K² FoM and 52-pW Stand-By Power
4. A 174 pW–488.3 nW 1 S/s–100 kS/s All-Dynamic Resistive Temperature Sensor With Speed/Resolution/Resistance Adaptability
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1. Area- and Energy-Efficient Ternary D Flip-Flop Design;JOURNAL OF SENSOR SCIENCE AND TECHNOLOGY;2024-05-31
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