A Design of Low Noise InP HEMT LNA based on device modeling
Author:
Affiliation:
1. Korea Electronics Technology Institute,ICT Device & Packaging Research Center,Gyeonggi-do,Korea
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10391854/10391860/10392657.pdf?arnumber=10392657
Reference7 articles.
1. III-V HEMTs for Cryogenic Low Noise Amplifiers
2. GaN HEMT modeling for power and RF applications using ASM-HEMT
3. Design of a Ka-Band LNA Based on 150 nm GaN-on-Si Technology
4. A 100-μW 4–6 GHz Cryogenic InP HEMT LNA Achieving an Average Noise Temperature of 2.6 K
5. Private 5G: The Future of Industrial Wireless
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