Fast, Scalable, and Highly Accurate Thermal Modeling for Use in GaN/GaAs RF Circuit Modeling Platforms
Author:
Affiliation:
1. Qorvo, Inc,Richardson,TX,USA
Funder
Air Force Research Laboratory
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10529283/10529298/10529446.pdf?arnumber=10529446
Reference5 articles.
1. ASM GaN: Industry standard model for GaN RF and power devices-Part 1: DC, CV, and RF model;Sourabh;IEEE Transactions on Electron Devices,2018
2. A New Framework for GaN Modeling;Jimenez,2022
3. Modeling of GaN HEMT Reliability Time Evolution and Field Effects;Drandova,2022
4. Channel Temperature Analysis of GaN HEMTs With Nonlinear Thermal Conductivity
5. Thermal modeling of high frequency GaN power HEMT's using analytic approach
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