Impact of Double HZO on Ferroelectric FinFET and 1T Memory Application
Author:
Affiliation:
1. National Chung Hsing University,Department of Electrical Engineering,Taichung,Taiwan, R.O.C.,40227
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9889022/9889006/09889052.pdf?arnumber=9889052
Reference7 articles.
1. Negative-Capacitance Fin Field-Effect Transistor Beyond the 7-nm Node
2. Device modeling of ferroelectric memory field-effect transistor (FeMFET)
3. Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification for Low Power Nanoscale Devices
4. Proposal for Capacitance Matching in Negative Capacitance Field-Effect Transistors
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