Extraction of Output Conductance Parameters From Simple DC IV Measurements for a Compact Model
Author:
Affiliation:
1. GlobalFoundries Engineering Private Limited,Bengaluru,India
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10117590/10117577/10118317.pdf?arnumber=10118317
Reference7 articles.
1. Drain induced barrier lowering (DIBL) effect on the intrinsic capacitances of nano-scale MOSFETs;karim;NSTI-Nanotech,2011
2. DIBL–Compensated Extraction of the Channel Length Modulation Coefficient in MOSFETs
3. Barrier Lowering and Backscattering Extraction in Short-Channel MOSFETs
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