On the linearity and parabolicity of the PIN dark IV: the effect of series resistance
Author:
Affiliation:
1. Indian Institute of Technology Bombay,Department of Energy Science and Engineering,Mumbai,India
Funder
IIT Bombay
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9776592/9776648/09776986.pdf?arnumber=9776986
Reference7 articles.
1. A simplified theory of the p-i-n diode
2. The forward characteristic of silicon power rectifiers at high current densities
3. Simulations of variable I layer thickness effects on silicon PIN diode IV characteristics;jubadi;IEEE Symposium on Industrial Electronics and Applications (ISIEA 2010),0
4. Exact analytical solution for current flow through diode with series resistance
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