Vertical stack reliability of GaN-on-Si buffers for low-voltage applications
Author:
Funder
ECSEL Joint Undertaking (JU)
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9405068/9405088/09405097.pdf?arnumber=9405097
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1. Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates;Applied Physics Letters;2023-10-02
2. Role of the GaN-on-Si Epi-Stack on ΔR ON Caused by Back-Gating Stress;IEEE Transactions on Electron Devices;2023-10
3. Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs;Microelectronics Reliability;2022-11
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