Study of the effect of the aluminum gate on light absorption in a Wavesensor
Author:
Affiliation:
1. Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE),Department of Electronics,Puebla 7200,México
2. Universitat Autònoma de Barcelona,Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC),08193 Bellaterra,Spain
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9908144/9907765/09908225.pdf?arnumber=9908225
Reference12 articles.
1. Monolithic Integration of a Silicon-Based Photonic Transceiver in a CMOS Process
2. Waveguide-detector system on silicon for sensor application
3. Evanescent coupling device design for waveguide-integrated group IV photodetectors;ahn;J Light Technol,2010
4. Efficient evanescent wave coupling conditions for waveguide-integrated thin-film Si/Ge photodetectors on silicon-on-insulator/germanium-on-insulator substrates
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