An Electrostatic Compact Model for Experimental Memristive Devices
Author:
Affiliation:
1. National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics,Electronics Department,Puebla,México
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9908144/9907765/09907768.pdf?arnumber=9907768
Reference9 articles.
1. The energy scaling advantages of RRAM crossbars
2. Low power and high speed bipolar switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO 2 based RRAM;lee;2008 IEEE International Electron Devices Meeting,2008
3. Ultra-low power Al2O3-based RRAM with 1μA reset current
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