Negative Spin-Polarization Tri-Layer STO for MAMR

Author:

Tagawa I.1

Affiliation:

1. Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology

Publisher

The Magnetics Society of Japan

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Instrumentation,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference11 articles.

1. 1). J.-G. Zhu, X. Zhu, and Y. Tang: IEEE Trans. Magn., 44, 125 (2008)

2. 2). Y. Tang and J. G. Zhu: IEEE Trans. Magn., 44, 3376 (2008)

3. 3). I. Tagawa, M. Shiimoto, M. Matsubara, S. Nosaki, Y. Urakami and J. Aoyama: IEEE Trans. Magn., 52, 3101104, (2016)

4. 4). http://innovation.wdc.com/game-changers/why-mamr.html (2017)

5. 5). https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2021/02/storage-20210218-1.html (2021)

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